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Si2307BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.078 at V GS = - 10 V
0.130 at V GS = - 4.5 V
I D (A) b
- 3.2
- 2.5
? Halogen-free Option Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
RoHS
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
Top View
Si2307BDS (L7)*
* Marking Code
Ordering Information: Si2307BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2307BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
- 30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) b
Pulsed Drain Current a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 3.2
- 2.6
- 12
- 2.5
- 2.0
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) b
I S
- 1.25
- 0.75
Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.25
0.8
- 55 to 150
0.75
0.48
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient b
Maximum Junction-to-Ambient c
Symbol
R thJA
Typical
80
130
Maximum
100
166
Unit
°C/W
Notes:
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.
b. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 5 s.
c. Surface Mounted on FR4 board.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Document Number: 72699
S-80427-Rev. C, 03-Mar-08
www.vishay.com
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